Descripción general del producto
El amoníaco 7N es un gas especial-de calidad electrónica con un nivel de pureza del 99,99999 %. Se sintetiza principalmente a partir de nitrógeno e hidrógeno a alta temperatura y presión, seguido de procesos de destilación, adsorción y purificación de múltiples etapas. Como gas de proceso crítico en la fabricación de semiconductores, semiconductores compuestos y pantallas avanzadas, su ultra-alta pureza es esencial para garantizar la calidad de la película delgada-, el rendimiento del dispositivo y el rendimiento de la producción. Incluso las trazas de impurezas-como la humedad, el oxígeno, los hidrocarburos y los iones metálicos-pueden provocar defectos en el dispositivo, lo que convierte al amoníaco 7N en un material central indispensable en la fabricación de -alta gama.
Información básica
| No. CAS | 7664-41-7 |
| ONU No. | UN1005 (Amoníaco anhidro, gas comprimido) |
| Clasificación de peligros | Gas tóxico clase 2.3, sustancia corrosiva clase 8 |
Atributos y parámetros clave
| Pureza | Mayor o igual a 99,99999% (Grado 7N) |
| Niveles clave de impureza (valores típicos, en ppb) |
Humedad (H₂O): Menor o igual a 10 ppb Oxígeno (O₂): Menor o igual a 5 ppb Hidrocarburos Totales (THC): Menor o igual a 5 ppb Iones metálicos (Fe, Ni, Cu, Na, K, etc.): Menor o igual a 0,01 ppb |
| Embalaje | Cilindros, cilindros Y{0}}, remolques de tubos ISO (personalizables según las necesidades del cliente) |
| Presión de llenado | Normalmente entre 20 y 50 bar (según el contenedor) |
Características y ventajas
Pureza y coherencia ultra-altas
Utiliza tecnología de purificación de múltiples-etapas y análisis en línea para garantizar que cada lote de amoníaco 7N cumpla con los requisitos más estrictos del proceso de semiconductores con niveles constantes de pureza e impureza.
Contaminación extremadamente baja de partículas y metales
La filtración terminal de hasta 0,003 μm garantiza un contenido mínimo de partículas e iones metálicos, evitando la contaminación de estructuras sensibles de chips.
Cadena de suministro estable y trazabilidad total
Implementa un control de circuito cerrado-desde la fuente de gas, la purificación y el llenado hasta las pruebas analíticas, proporcionando informes de inspección de calidad (CoA) completos y rastreables para garantizar la seguridad de la cadena de suministro.
Soporte técnico y de seguridad profesional
Ofrece soluciones integrales que incluyen orientación sobre el uso de gas, diseño de tuberías y capacitación en seguridad para garantizar que los clientes puedan utilizar de manera segura y eficiente gas amoníaco 7N de alta-pureza.
Características funcionales
Como fuente de nitrógeno
En procesos epitaxiales como la deposición química de vapor metálico-orgánico (MOCVD), el gas amoníaco 7N de alta-pureza sirve como precursor de nitrógeno clave para el crecimiento de semiconductores compuestos III-V como el nitruro de galio (GaN) y el nitruro de aluminio (AlN).
Como gas reactivo
En el grabado de semiconductores y la deposición de películas finas-de nitruro de silicio (Si₃N₄), sus características de alta-pureza garantizan la uniformidad de la película, una baja densidad de defectos y excelentes propiedades eléctricas.
Como gas portador o dopante
En procesos específicos, se puede utilizar para la administración o el dopaje, donde su pureza afecta directamente el voltaje umbral, la movilidad y la confiabilidad del dispositivo.
Campos de aplicación principales
Fabricación de semiconductores
Se utiliza para la deposición de nitruro de silicio/nitruro de titanio y el crecimiento epitaxial de semiconductores compuestos III-V (p. ej., GaN, GaAs).
Tecnología de visualización
Sirve como fuente de nitrógeno de alta-pureza en encapsulación-de película delgada y fabricación de plano posterior TFT para pantallas OLED y Micro-LED.
Fotovoltaica
Se emplea en la deposición de capas de pasivación para células solares de alta-eficiencia (p. ej., HJT, TOPCon).
Investigación y materiales avanzados
Desarrollo de nuevos materiales de nitruro, síntesis de puntos cuánticos y preparación de nitruros de alta-pureza.
Caso de colaboración con el cliente
Hemos establecido una asociación estratégica-a largo plazo con un fabricante de semiconductores de tercera generación-líder mundial-. Para su línea de producción en masa de dispositivos de energía GaN-on-Si, el cliente exigía especificaciones cercanas-límites de humedad e impurezas metálicas en gas amoníaco 7N de alta-pureza (humedad menor o igual a 5 ppb, iones metálicos menor o igual a 0,005 ppb). Personalizamos un módulo de purificación dedicado y un sistema de monitoreo en línea para ellos e implementamos un suministro ininterrumpido y libre de contaminación-de-uso a través de una tubería dedicada. A lo largo de la colaboración, el gas amoniaco de alta pureza 7N suministrado ayudó al cliente a reducir la densidad de defectos de las obleas epitaxiales en un 30%, mejorando significativamente el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo, solidificando así su posición de liderazgo en el mercado de semiconductores de potencia de alto voltaje. Este caso ejemplifica nuestra sólida capacidad para proporcionar soluciones integradas de gases de ultra-alta-pureza.
Preguntas frecuentes
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