Descripción general del producto

El hexafluoroetano (C₂F₆) es un compuesto de fluorocarbono saturado completamente fluorado, que aparece como un gas incoloro, inodoro, no-inflamable y no-tóxico en condiciones estándar. Como gas especializado en electrónica fundamental, el hexafluoroetano es valorado por su excepcional estabilidad química y su excelente selectividad de grabado, lo que lo hace indispensable en la fabricación de semiconductores y microelectrónica. Producido a través de rigurosos procesos de purificación, nuestro hexafluoroetano de alta-pureza cumple con los exigentes requisitos de aplicaciones electrónicas avanzadas donde la pureza ultra-alta y las impurezas mínimas son primordiales.

Información básica

No. CAS	76-16-4
ONU No.	UN2193 (Hexafluoroetano, comprimido)
Fórmula molecular	C₂F₆
Clasificación de peligros	2.2 (Gas no-inflamable, no-tóxico)

Atributos y parámetros clave

Pureza	Mayor o igual al 99,999% (estándar de grado 5N), con grados más altos disponibles.
Impurezas críticas (especificaciones típicas)	Oxígeno (O₂) Nitrógeno (N₂): Menor o igual a 2 ppm Humedad (H₂O): Menor o igual a 1 ppm Iones metálicos totales: menor o igual a 10 ppb
Punto de ebullición	-78,2 grados
Temperatura crítica	19,7 grados
Presión de vapor (a 21,1 grados)	3,33 MPa abs
Densidad (gas, 25 grados)	~7,85 kg/m³ (aproximadamente. 5x más denso que el aire)

Características y ventajas

Alta estabilidad química y plasmática

Los fuertes enlaces C-F proporcionan una descomposición estable y controlada en entornos de plasma, generando radicales de flúor activos para un grabado preciso.

Selectividad de grabado superior

Ofrece relaciones de tasa de grabado altamente ajustables entre silicio, dióxido de silicio, nitruro de silicio y fotoprotector, lo que permite una transferencia de patrones sofisticada para nodos avanzados.

Excelentes propiedades dieléctricas y aislantes

Su alta rigidez dieléctrica y estabilidad térmica lo hacen adecuado para aplicaciones especializadas de aislamiento eléctrico.

Compatibilidad de procesos y ventana amplia

Compatibilidad comprobada con herramientas de fabricación de semiconductores estándar (p. ej., grabadores ICP y CCP), lo que ofrece una ventana de proceso amplia y estable para los fabricantes.

Características funcionales

En los procesos basados en plasma-, el hexafluoroetano se descompone para generar radicales de flúor (F*) y varios iones CFx. Esto le permite funcionar principalmente como:

1. Grabador de precisión: permite el grabado anisotrópico de silicio, polisilicio y diversas películas dieléctricas con alta selectividad y control de perfil.

2. Un agente de limpieza de la cámara: elimina eficazmente los residuos a base de silicio-de la deposición química de vapor (CVD) y del interior de la cámara de grabado sin dañar los componentes de la cámara.

3. Gas portador/diluyente: se puede utilizar para modular y estabilizar la química del plasma en mezclas de gases.

Campos de aplicación principales

Fabricación de semiconductores

Grabador clave para patrones de compuertas de polisilicio, aislamiento de zanjas poco profundas (STI) y grabado dieléctrico (SiO₂, bajo-k) vía/zanjas. Esencial para la limpieza de cámaras in-in situ.

Fabricación de pantallas planas (FPD)

Se utiliza para modelar conjuntos de transistores de película delgada-(TFT) y micro-fabricación de pantallas OLED.

Fotovoltaica

Texturizado y modelado en la fabricación de células solares-de película delgada y- de silicio.

Otras aplicaciones

Se utiliza como refrigerante (R116), gas aislante en equipos eléctricos y gas amortiguador en láseres.

Caso de colaboración con el cliente

Una fundición líder de semiconductores se asoció con nosotros para optimizar su proceso de grabado de orificios de contacto de chip lógico de 28 nm, que enfrentaba desafíos con la rugosidad de las paredes laterales y la uniformidad del grabado. Desarrollamos una mezcla de gases personalizada a base de hexafluoroetano-(con O₂ y Ar) adaptada a su herramienta de grabado específica (Applied Materials Centura). Suministramos hexafluoroetano de pureza ultra-alta- al 99,9995 % con impurezas metálicas.<5 ppb and implemented a real-time gas monitoring system. This collaboration resulted in a 40% reduction in sidewall roughness (from 5.2nm to 3.1nm), improved within-wafer uniformity from ±8% to ±4%, and enhanced critical dimension control by 25%. The successful gas formulation was adopted as their standard process, contributing to a 3.2% increase in production yield and establishing a joint development framework for sub-10nm node etch solutions. This case highlights how our high-purity hexafluoroethane and application expertise directly enable advanced manufacturing.

Preguntas frecuentes

P: ¿Cuáles son los requisitos específicos para exportar productos químicos a Japón con respecto al registro MITI y los estándares JIS?

R: Para los productos químicos exportados a Japón, deben completar el proceso de registro de importación del MITI (Ministerio de Economía, Comercio e Industria), presentar manuales de producto, MSDS, contratos de importación, etc. El proceso de registro demora aproximadamente 5-7 días hábiles. Al mismo tiempo, deben cumplir con los estándares industriales japoneses JIS, como la pureza y el contenido de impurezas de los productos químicos líquidos y la distribución del tamaño de las partículas de los productos químicos sólidos, etc. Nuestra empresa puede proporcionar MSDS e informes de prueba en japonés para ayudar con el registro MITI y garantizar que los indicadores del producto cumplan con los estándares JIS, lo que permite que los productos pasen sin problemas la inspección de la aduana japonesa.

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